CMBT5400

更新时间： 2024-02-18 20:15:16

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
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描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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CMBT5400 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CMBT5400 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT5400

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

P–N–P transistor

Marking

CMBT5400 = K2

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max.

max

130

120

500 mA

250 mW

CBO

CEO

EBO

–I

Total power dissipation at T

D.C. current gain

= 25°C

amb

tot

min.

–I = 10 mA; –V

C CE

= 5 V

max.

180

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max.

130

120

CBO

CEO

EBO

–I

500 mA

Continental Device India Limited

Data Sheet

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