是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.86 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 350 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 | |
CMBT8050 | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
CMBT8050C | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
CMBT8050D | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
CMBT8050E | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | ||
CMBT8098 | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | ||
CMBT8099 | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | ||
CMBT847 | CDIL |
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR | ||
CMBT847E | CDIL |
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR | ||
CMBT847F | CDIL |
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR | ||
CMBT847G | CDIL |
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