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CMBT5550

更新时间： 2024-01-05 19:40:57

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	105K
描述
SILICON N-P-N HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

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CMBT5550 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.85
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

CMBT5550 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT5550

SILICON N–P–N HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR

N–P–N transistor

Marking

CMBT5550 = 1F

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Collector current

max.

max

160

140

600 mA

250 mW

CBO

CEO

Total power dissipation up to T

= 25°C

amb

Collector–emitter saturation voltage

= 50 mA; I = 5 mA

tot

max.

0.25

CEsat

D.C. current gain

= 10 mA; V

= 5 V

60 to 250

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current

max.

160

140

CBO

CEO

EBO

600 mA

Continental Device India Limited

Data Sheet

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