CMBT6517

更新时间： 2024-11-18 03:25:59

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
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3页	155K
描述
HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR

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CMBT6517 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

CMBT6517 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT6517

HIGH–VOLTAGE TRANSISTOR

N–P–N transistor

Marking

CMBT6517 = 1Z

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max.

max

350

500 mA

225 mW

CBO

CEO

EBO

–I

Total power dissipation at T

D.C. current gain

= 25°C

amb

tot

–I = 10 mA; –V

C CE

= 10 V

min.

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max.

max

350

500 mA

225 mW

CBO

CEO

EBO

–I

Total power dissipation at T

Storage temperature

= 25°C

amb

tot

–55 to +150 ° C

max. 150 ° C

stg

Junction temperature

Continental Device India Limited

Data Sheet

Page 1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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