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CMBT5087

更新时间： 2024-02-10 00:40:51

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3页	155K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBT5087 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.85
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

CMBT5087 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT5087

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

PNP transistor

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Marking

CMBT5087= 2Q

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector-base voltage (open emitter)

Collector-emitter voltage (open base)

Emitter-base voltage (open collector)

Collector current

max.

CBO

CEO

EBO

50 mA

Total power dissipation at T

Junction temperature

D.C. current gain

= 25°C

tot

max. 225 mW

max. 150 ° C

amb

–I = 100 µA; V

= 5 V

min.

250

max. 800

Transition frequency at f = 20 MHz

= 500 µA; V = 5 V

min.

40 MHz

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector-base voltage (open emitter)

Collector-emitter voltage (open base)

CBO

CEO

max.

*FR-5 Board = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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