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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.54 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 255 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMBT5087 | CDIL |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| CMBT5088 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| CMBT5089 | CDIL |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
|
| CMBT5400 | CDIL |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| CMBT5401 | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons |
|
| CMBT5401 | CDIL |
获取价格 |
SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| CMBT5550 | CDIL |
获取价格 |
SILICON N-P-N HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| CMBT5551 | CDIL |
获取价格 |
SILICON NPN HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| CMBT5551 | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons |
|
| CMBT6517 | CDIL |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
|
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