CMBT3905

更新时间： 2024-02-21 04:10:41

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管
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3页	66K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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CMBT3905 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

CMBT3905 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT3905

SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

P–N–P transistor

Marking

CMBT3905 = 2Y

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max.

max. 200 mA

max. 250 m W

40 V

5 V

CBO

CEO

EBO

–I

Total power dissipation up to T

D.C. current gain

= 60 °C

amb

tot

–I = 10 mA; –V

C CE

= 1 V

50 to 150

Transition frequency at f = 100 MHz

–I = 10 mA; –V = 20 V

min.

200 MHz

Continental Device India Limited

Data Sheet

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