5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK456-800A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose |
|
| BUK456-800B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK456-800B,127 | NXP |
获取价格 |
3.5A, 800V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUK456-800B/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUK456-800B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.5 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos |
|
| BUK457-400 | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-400A | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-400B | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-450B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK457-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
