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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.44 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 210 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 65 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUZ80 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| 2SK904 | FUJI |
功能相似 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK456-800B,127 | NXP |
获取价格 |
3.5A, 800V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| BUK456-800B/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
|
| BUK456-800B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.5 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpos |
|
| BUK457-400 | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-400A | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-400B | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
|
| BUK457-450B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK457-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
| BUK457-500B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, |
|
| BUK457-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
|
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