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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU2708AX
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BU2708AX

更新时间： 2024-11-29 22:39:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2708AX 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：825 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：3
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：45 W最大功率耗散 (Abs)：45 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：6020 ns
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

BU2708AX 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2708AX  
GENERAL DESCRIPTION  
High voltage, high speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope. Intended for use in horizontal  
deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to base drive and collector current  
load variations, resulting in a low worst-case dissipation. Designed to withstand VCES pulses up to 1700 V.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
1700  
825  
8
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
-
15  
45  
1.0  
-
A
Ptot  
Ths ≤ 25 ˚C  
-
W
V
VCEsat  
ICsat  
ts  
IC = 4 A; IB = 1.33 A  
f = 16 kHz  
-
4
4.8  
A
ICsat = 4 A; f = 16 kHz  
5.5  
µs  
PINNING - SOT399  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
case  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
825  
8
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
IB  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
15  
4
A
-
A
IBM  
Base current peak value  
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
-
6
5
45  
150  
150  
A
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
-
A
Ths ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
Junction temperature  
-65  
-
ESD LIMITING VALUES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor voltage Human body model (250 pF,  
-
10  
kV  
1.5 kΩ)  
1 Turn-off current.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
1234567

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