5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU2708DX
BU2708DX PDF预览

BU2708DX

更新时间： 2024-02-17 03:11:48
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 78K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

阅读下载

获取价格

BU2708DX 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：825 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：3
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：45 W最大功率耗散 (Abs)：45 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：6020 ns
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

BU2708DX 数据手册

 浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BU2708DX的Datasheet PDF文件第7页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2708DX  
GENERAL DESCRIPTION  
High voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic full-pack envelope.  
Intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance to  
base drive and collector current load variations resulting in a low worst case dissipation. Designed to withstand VCES  
pulses up to 1700V.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
V
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
825  
8
V
A
ICM  
Ptot  
VCEsat  
ICsat  
VF  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
-
15  
45  
1.0  
-
A
T
hs ≤ 25 ˚C  
-
-
W
V
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Diode forward voltage  
IC = 4 A; IB = 1.33 A  
f = 16 kHz  
4.0  
1.6  
4.8  
A
IF = 4.0 A  
ICsat = 4 A; f = 16 kHz  
-
V
ts  
Storage time  
5.5  
µs  
PINNING - SOT399  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
case  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
Rbe  
case isolated  
1
2 3  
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
V
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
825  
8
V
A
-
ICM  
IB  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
15  
4
A
-
A
IBM  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base current peak value  
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
6
5
45  
150  
150  
A
-
-
A
Ths ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
ESD LIMITING VALUES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor voltage Human body model (250 pF,  
-
10  
kV  
1.5 kΩ)  
1 Turn-off current.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
1234567

下载PDF

与BU2708DX相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BU2710F ETC Consumer IC

获取价格
BU2710S ETC Consumer IC

获取价格
BU2720AF NXP Silicon Diffused Power Transistor

获取价格
BU2720AF ISC isc Silicon NPN Power Transistor

获取价格
BU2720AX ISC isc Silicon NPN Power Transistor

获取价格
BU2720AX SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

与BU2708DX相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证