BU2720DF

更新时间： 2024-12-01 09:02:03

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2720DF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8

BU2720DF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2720DF

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of colour TV receivers.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Collector current (DC)

Collector current -peak

Base Collector current (DC)

Base current -peak

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1700

825

UNIT

Open base

I_CM

I_B

I_BM

P_tot

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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