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BU2725DX

更新时间： 2024-02-22 21:43:16

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	147K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2725DX 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	PLASTIC, SOT-399, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	3.8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BU2725DX 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2725DX

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of color TV receivers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Base current (DC)

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1700

800

7.5

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current-peak

P_tot

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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