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BU2722AF

更新时间： 2024-01-20 13:13:20

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SAVANTIC		晶体晶体管开关局域网
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2722AF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	825 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	4.5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	45 W
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	2730 ns	VCEsat-Max：	1 V

BU2722AF 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2722AF

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of high resolution monitors

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Base current (DC)

CONDITIONS

VALUE

1700

825

7.5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current-peak

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU2722AX	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BU2722AX	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DF	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DX	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 825V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SOT-399
BU2725	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2725AF	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2725AF	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
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