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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU2722DF
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BU2722DF

更新时间： 2024-01-10 05:35:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2722DF 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：825 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：4.5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：45 W
最大功率耗散 (Abs)：45 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：2730 nsVCEsat-Max：1 V

BU2722DF 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2722DF  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic  
full-pack envelope. Intended for use in horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Suitable for  
operation up to 64 kHz, designed to withstand VCES pulses up to 1700 V.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
825  
10  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
25  
A
Ptot  
T
hs ≤ 25 ˚C  
-
45  
W
V
VCEsat  
ICsat  
ts  
IC = 4.5 A; IB = 1.0 A  
-
1
4.5  
1.9  
-
A
ICM = 4.5 A; IB(end) = 0.7 A  
2.25  
µs  
PINNING - SOT199  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
Rbe  
case isolated  
1
2
3
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
825  
10  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
25  
A
IB  
IBM  
-IB(AV)  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
10  
20  
A
Base current peak value  
Reverse base current  
-
A
average over any 20 ms period  
-
150  
20  
mA  
A
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
Ths ≤ 25 ˚C  
45  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
Junction temperature  
ESD LIMITING VALUES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor voltage Human body model (250 pF,  
-
10  
kV  
1.5 kΩ)  
1 Turn-off current.  
November 1995  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU2722DX ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399
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