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BU2730AL

更新时间： 2024-11-30 22:35:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 23K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2730AL 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：825 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：125 W
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：5 V

BU2730AL 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2730AL  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in  
horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0  
-
-
1700  
825  
16  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
-
40  
A
Ptot  
Tmb ≤ 25 ˚C  
-
125  
5.0  
-
W
V
VCEsat  
ICsat  
ts  
IC = 9 A; IB = 1.8 A  
f = 32 kHz  
-
9
3.5  
A
ICsat = 9 A; f = 32 kHz  
4.5  
µs  
PINNING - SOT430  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
heat collector  
sink  
e
1
2
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1700  
825  
16  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
40  
A
IB  
IBM  
-IB(AV)  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
10  
15  
200  
10  
125  
150  
150  
A
Base current peak value  
Reverse base current  
-
A
average over any 20 ms period  
-
mA  
A
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-55  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
-
1.0  
-
K/W  
K/W  
in free air  
35  
1 Turn-off current.  
April 1997  
1
Rev 1.000  
1234

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