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BU2722AX

更新时间： 2024-01-05 01:01:45

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU2722AX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	825 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	4.5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	45 W
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	2730 ns	VCEsat-Max：	1 V

BU2722AX 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU2722AX

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 825V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of high

resolution monitors.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Emitter Voltage(V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1700

825

7.5

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current- Continuous

Base Current-Peak

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.8

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU2722DF	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DX	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 825V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| SOT-399
BU2725	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
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