BU2708DX

更新时间： 2024-02-05 08:13:54

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	78K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2708DX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	825 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	3
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	45 W	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	6020 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

BU2708DX 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2708DX

ICsat

+ 150 v nominal

adjust for ICsat

TRANSISTOR

DIODE

IBend

D.U.T.

20us

26us

64us

IBend

-VBB

Cfb

VCE

Rbe

Fig.1. Switching times waveforms.

Fig.3. Switching times test circuit.

ICsat

90 %

hFE

BU2708DF

100

VCE = 5 V

Ths = 25 C

Ths = 85 C

10 %

IBend

0.01

0.1

100

- IBM

IC / A

Fig.2. Switching times definitions.

Fig.4. DC current gain. h_FE= f (I_C)

Parameter T_hs

(Low and high gain)

September 1997

Rev 1.200

1 234 5 6 7

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