BU2708DX

更新时间： 2024-11-30 12:20:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU2708DX 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU2708DX

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·High Voltage

·Built-in Ddamper Ddiode

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of color

TV receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Emitter Voltage(V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1700

825

7.5

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current- Continuous

Base Current-Peak

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.8

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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