BU2708AX

更新时间： 2024-01-30 23:55:09

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	80K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2708AX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	825 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	3
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	45 W	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	6020 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

BU2708AX 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

BU2708AX

hFE

BU2708AF

PTOT / W

BU2708AF/DF

100

VCE = 1 V

Ths = 25 C

Ths = 85 C

IC = 3.5 A

f = 16 kHz

Tj = 85 C

0.01

0.1

100

0.5

1.5

IC / A

IB / A

Fig.7. DC current gain. h_FE= f (I_C)

Parameter T_hs

Fig.10. Limit P_tot; T_j= 85˚C

P_tot= f (I_B(end)); I_C= 3.5 A; f = 16 kHz

(Low and high gain)

VCEsat / V

BU2708AF

PTOT / W

BU2708AF/DF

IC = 4 A

Tj = 85 C

Tj = 25 C

f = 16 kHz

Tj = 85 C

IC/IB = 8

IC/IB = 4

0.1

0.01

0.5

1.5

0.1

100

IC / A

IB / A

Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.

Fig.11. Limit P_tot; T_j= 85˚C

P_tot= f (I_B(end)); I_C= 4.0 A; f = 16 kHz

_CEsat= f (I_C); parameter I_C/I_B

VBEsat / V

BU2708AF

ts/tf / us

BU2708AF/DF

1.2

1.1

Tj = 85 C

Tj = 25 C

IC = 4A

0.9

0.8

0.7

0.6

IC = 4A

IC = 3.5A

0.5

1.5

0.5

1.5

IB / A

Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.

V_BEsat= f (I_B); parameter I_C

Fig.12. Limit storage and fall time.

t_s= f (I_B); tf = f (I_B); parameter I_C; T_j= 85˚C; f = 16 kHz

September 1997

Rev 1.100

1 2 345 6 7

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