BU2708DF

更新时间： 2024-02-09 02:11:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	47K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2708DF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2708DF

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of colour TV receivers.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Collector current (DC)

Collector current -peak

Base Collector current (DC)

Base current -peak

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

1700

825

I_CM

I_B

I_BM

P_tot

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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