BU2708DF

更新时间： 2024-01-28 03:38:00

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2708DF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2708DF

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CES

PARAMETER

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

DC current gain

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_E=600mA ;I_C=0

7.5

13.5

I_C=4A ;I_B=1.33 A

1.0

V_CE=BV_CES;V_BE=0

T_j=125℃

1.0

2.0

h_FE-1

I_C=1A ; V_CE=5V

I_C=4A ; V_CE=1V

I_F=4A

h_FE-2

DC current gain

7.3

V_F

Diode forward voltage

1.6

123

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