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BU2708AF

更新时间: 2024-02-02 02:12:25
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

BU2708AF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:825 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):3
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:45 W最大功率耗散 (Abs):45 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):6020 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

BU2708AF 数据手册

 浏览型号BU2708AF的Datasheet PDF文件第1页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
BU2708AF  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
V(BR)EBO  
PARAMETER  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector Cutoff Current  
CONDITIONS  
IC= 100mA ; IB= 0,L= 25mH  
IE= 1mA; IC= 0  
MIN  
825  
7.5  
TYP. MAX UNIT  
V
V
IC= 4A; IB= 1.33A  
1.0  
1.0  
V
V
VCE  
(sat)  
IC= 4A; IB= 1.33A  
VBE  
(sat)  
VCE= 1700V ; VBE= 0  
VCE= 1700V ; VBE= 0; TC=125℃  
1.0  
2.0  
ICES  
mA  
μA  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
Emitter Cutoff Current  
VEB= 6V ; IC= 0  
70  
DC Current Gain  
IC= 0.1A ; VCE= 5V  
IC= 4A ; VCE= 1V  
21  
DC Current Gain  
3
7.3  
2
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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