BU2708AX

更新时间： 2024-01-01 13:42:46

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	92K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU2708AX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	825 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	3
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	45 W	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	6020 ns
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

BU2708AX 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU2708AX

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 825V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of color

TV receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Emitter Voltage(V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1700

825

7.5

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current- Continuous

Base Current-Peak

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.8

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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