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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU2527AF
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BU2527AF

更新时间： 2024-11-22 22:35:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 74K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2527AF  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in  
horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance and is suitable for  
operation up to 64 kHz.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
30  
A
Ptot  
T
hs ≤ 25 ˚C  
-
45  
W
V
VCEsat  
ICsat  
ts  
IC = 6.0 A; IB = 1.2 A  
-
5.0  
-
6.0  
1.7  
A
ICsat = 6.0 A; IB(end) = 0.55 A  
2.0  
µs  
PINNING - SOT199  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
case isolated  
1
2
3
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
30  
A
IB  
IBM  
-IB(AV)  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
8
12  
A
Base current peak value  
Reverse base current  
-
A
average over any 20 ms period  
-
200  
7
mA  
A
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
Ths ≤ 25 ˚C  
45  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
without heatsink compound  
with heatsink compound  
in free air  
-
-
3.7  
2.8  
-
K/W  
K/W  
K/W  
35  
1 Turn-off current.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
1234567

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