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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5.5 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 4750 ns |
| VCEsat-Max： | 5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU2530AW | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2532AL | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2532AL | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| BU2532AW | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU2532AW/B | NXP |
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TRANSISTOR POWER TO-247 |
|
| BU-25C | ETC |
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Automotive Clip |
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| BU25H06 | VISHAY |
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Enhanced isoCink+? Bridge Rectifiers |
|
| BU25H06-E3 | VISHAY |
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Enhanced isoCink⢠Bridge Rectifiers |
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| BU25H06-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Enhanced isoCink⢠Bridge Rectifiers |
|
| BU25H08-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Enhanced isoCink⢠Bridge Rectifiers |
|
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