BU2532AL

更新时间： 2024-11-23 06:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	218K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU2532AL 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

BU2532AL 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU2532AL

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 800V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of high

resolution monitors.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector- Emitter Voltage(V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

7.5

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

I_B

Base Current- Continuous

Base Current-Peak

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

125

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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