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BU2527DF

更新时间： 2024-11-26 06:44:31

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	51K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2527DF 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

BU2527DF

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection

circuits of high resolution monitors

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

800

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current (DC)

I_CP

I_B

I_BM

Base current (Pulse)

P_tot

Total power dissipation

Max.operating junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

JMnic

12 3

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