BU2527DF

更新时间： 2024-11-26 09:02:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU2527DF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BU2527DF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU2525DF

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in horizontal deflection circuits

of large screen colour TV receivers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current -peak

Base Collector current (DC)

Base current -peak

CONDITIONS

VALUE

1500

800

7.5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

P_tot

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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