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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 45 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 2200 ns |
| VCEsat-Max： | 5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BU2525AX | NXP |
完全替代  |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| BU2527AF | NXP |
类似代替 |
Silicon Diffused Power Transistor |
|
| MJW16212 | MOTOROLA |
功能相似 |
POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 1500 VOLTS - VCES 50 AND 150 WATTS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU2527DF | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BU2527DF | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BU2527DF | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BU2527DF | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2527DX | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2527DX | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BU2527DX | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BU2527DX | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BU2530AL | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2530AW | NXP |
获取价格 |
Silicon Diffused Power Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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