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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU2527AW
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BU2527AW

更新时间： 2024-11-25 22:35:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 78K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2527AW 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BU2527AW 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2527AW  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in  
horizontal deflection circuits of high resolution monitors. Features improved RBSOA performance and is suitable for  
operation up to 64 kHz.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
30  
A
Ptot  
T
mb ≤ 25 ˚C  
-
125  
5.0  
-
W
V
VCEsat  
ICsat  
ts  
IC = 6.0 A; IB = 1.2 A  
-
6.0  
1.7  
A
Icsat = 6.0 A; IB(end) = 0.55 A  
2.0  
µs  
PINNING - SOT429  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
tab collector  
2
1
3
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
30  
A
IB  
IBM  
-IB(AV)  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
8
12  
200  
7
125  
150  
150  
A
Base current peak value  
Reverse base current  
-
A
average over any 20 ms period  
-
mA  
A
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
1.0  
-
K/W  
K/W  
in free air  
45  
1 Turn-off current.  
September 1997  
1
Rev 1.100  
1234567

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