生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.56 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.13 A | 最大漏源导通电阻: | 10 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS84 | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84AK,215 | NXP |
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BSS84AK - 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | |
BSS84AK215 | NXP |
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50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AK-BR | ETC |
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MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | |
BSS84AKM | NEXPERIA |
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50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKM,315 | ETC |
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MOSFET P-CH 50V SOT883 | |
BSS84AKMB | NEXPERIA |
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50 V, single P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKMB,315 | ETC |
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MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN | |
BSS84AKQB | NEXPERIA |
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50 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKS | NXP |
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160mA, 50V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, TSSOP-6 | |
BSS84AKS | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction |