是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.8 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.18 A | 最大漏源导通电阻: | 8.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS84 | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84AK,215 | NXP |
获取价格 |
BSS84AK - 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | |
BSS84AK215 | NXP |
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50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AK-BR | ETC |
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MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | |
BSS84AKM | NEXPERIA |
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50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKM,315 | ETC |
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MOSFET P-CH 50V SOT883 | |
BSS84AKMB | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, single P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKMB,315 | ETC |
获取价格 |
MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN | |
BSS84AKQB | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKS | NXP |
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160mA, 50V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, TSSOP-6 | |
BSS84AKS | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction |