生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | SOT-883B, DFN1006B, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 0.97 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.23 A | 最大漏源导通电阻: | 8.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PBCC-N3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.7 W |
参考标准: | IEC-60134 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84AKQB | NEXPERIA |
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50 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKS | NXP |
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160mA, 50V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, TSSOP-6 | |
BSS84AKS | NEXPERIA |
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50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKT | NXP |
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马来西亚 | |
BSS84AKT,115 | NXP |
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BSS84AKT - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin | |
BSS84AKV | NXP |
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50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AKV | NEXPERIA |
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50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKW | NEXPERIA |
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50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKW | NXP |
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50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AKW,115 | NXP |
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BSS84AKW - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin |