BSS84AKT

更新时间： 2024-01-30 07:21:56

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恩智浦 - NXP		/
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BSS84AKT 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.13 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS84AKT 数据手册

BSS84AKT

T416

50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET

Rev. 2 — 17 Jul 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

ESD protection up to 1 kV

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

1.3 Applications

Relay driver

High-side loadswitch

Switching circuits

High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-50

V_GS

-20

[1]

I_D

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

-150 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA;

T_j= 25 °C

4.5

7.5

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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