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BSS84D75Z

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	522K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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BSS84D75Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.13 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS84D75Z 数据手册

May 1999

BSS84 / BSS110

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density

process is designed to minimize on-state resistance, provide

rugged and reliable performance and fast switching. They

can be used, with a minimum of effort, in most applications

requiring up to 0.17A DC and can deliver pulsed currents up

to 0.68A. This product is particularly suited to low voltage

applications requiring a low current high side switch.

BSS84: -0.13A, -50V. R_DS(ON)= 10W @ V_GS= -5V.

BSS110: -0.17A, -50V. R_DS(ON)= 10W @ V_GS= -10V

Voltage controlled p-channel small signal switch.

High density cell design for low R_DS(ON)

High saturation current.

____________________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

T_A= 25°C unless otherwise noted

BSS84

BSS110

Units

V_DSS

V_DGR

Drain-Source Voltage

-50

Drain-Gate Voltage (R_GS< 20 KW)

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous @ T_A= 30/35^oC

V_GSS

I_D

±20

-0.13

-0.52

0.36

-0.17

-0.68

0.63

- Pulsed

Maximum Power Dissipation T_A= 25°C

@ T_A= 25^oC

P_D

°C

T_J,T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Maximum lead temperature for soldering

purposes, 1/16" from case for 10 seconds

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

350

200

°C/W

BSS84 Rev. C1 / BSS110. Rev. A2

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS84D81Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84-D87Z	TI	获取价格	130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS84D89Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84DW	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW	MCC	获取价格	Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
BSS84DW	YANGJIE	获取价格	SOT-363
BSS84DW	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.13A, 50V, 0.3W, P Channel, Small Signal MOSFETs
BSS84DW_1	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW_15	DIODES	获取价格	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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