是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.57 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.13 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.13 A |
最大漏源导通电阻: | 10 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 12 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS84DW-7 | DIODES |
类似代替 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
BSS84DW-7-F | DIODES |
功能相似 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84DWT/R13 | DIODES |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
BSS84DWT/R7 | DIODES |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
BSS84DW-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
BSS84E | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 | |
BSS84E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSS84E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSS84EDW | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.13A, 50V, 0.3W, P Channel, Dual MOSFETs | |
BSS84ES | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs | |
BSS84ESL | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs | |
BSS84EST | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |