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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.13 A | 最大漏源导通电阻： | 10 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 12 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84DWT/R7 | DIODES |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84DW-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| BSS84E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS84E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS84EDW | BL Galaxy Electrical |
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0.13A, 50V, 0.3W, P Channel, Dual MOSFETs |
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| BSS84ES | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84ESL | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84EST | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84ESW | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84EV | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.13A, 50V, 0.25W, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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