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BSS84AKW

更新时间： 2023-09-03 20:37:24

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
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16页	1421K
描述
50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFETProduction

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BSS84AKW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-70, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.25
Samacsys Description：	50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	8.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BSS84AKW 数据手册

BSS84AKW

50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 23 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

ESD protection up to 1 kV

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

1.3 Applications

Relay driver

High-side loadswitch

Switching circuits

High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-50

V_GS

-20

[1]

I_D

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

-150 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA;

T_j= 25 °C

4.5

7.5

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

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与BSS84AKW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS84AKW,115	NXP	获取价格	BSS84AKW - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin
BSS84D10Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D11Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D28Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D29Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D74Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D75Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D81Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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