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BSS84AKM,315

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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16页	1411K
描述
MOSFET P-CH 50V SOT883

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BSS84AKM,315 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SC-101, DFN10063-3, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	1.06	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.23 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PBCC-N3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BSS84AKM,315 数据手册

BSS84AKM

50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 23 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

ESD protection up to 1 kV

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

1.3 Applications

Relay driver

High-side loadswitch

Switching circuits

High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-50

V_GS

-20

[1]

I_D

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

-230 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA;

T_j= 25 °C

4.5

7.5

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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