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BSS84AKMB

更新时间： 2024-11-20 11:14:39

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	250K
描述
50 V, single P-channel Trench MOSFETProduction

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BSS84AKMB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.23 A	最大漏源导通电阻：	8.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PBCC-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.7 W	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BSS84AKMB 数据手册

BSS84AKMB

50 V, single P-channel Trench MOSFET

27 October 2020

Product data sheet

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3

(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

•

Logic-level compatible

•

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 1 kV

Ultra thin package profile with 0.37 mm height

3. Applications

•

Relay driver

High-speed line driver

High-side load switch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_DS

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-50

Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

V_GS

-20

I_D

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

[1]

-230

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA; T_j= 25 °C

4.5

7.5

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...14

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