是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.55 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.16 A |
最大漏源导通电阻: | 8.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84AKT | NXP |
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马来西亚 | |
BSS84AKT,115 | NXP |
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BSS84AKT - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin | |
BSS84AKV | NXP |
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50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AKV | NEXPERIA |
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50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKW | NEXPERIA |
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50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AKW | NXP |
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50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AKW,115 | NXP |
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BSS84AKW - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin | |
BSS84D10Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSS84D11Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSS84D26Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |