Datasheet > BSS84AKS

BSS84AKS

更新时间： 2023-09-03 20:33:38

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	1431K
描述
50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS84AKS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	PLASTIC, SC-88, TSSOP-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.54
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.16 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS84AKS 数据手册

BSS84AKS

50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 23 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363

(SC-88) package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

ESD protection up to 1 kV

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

1.3 Applications

Relay driver

High-side loadswitch

Switching circuits

High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per transistor

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

T_j= 25 °C

-50

gate-source voltage

drain current

-20

[1]

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

-160 mA

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA;

T_j= 25 °C

4.5

7.5

Ω

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与BSS84AKS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS84AKT	NXP	获取价格	马来西亚
BSS84AKT,115	NXP	获取价格	BSS84AKT - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin
BSS84AKV	NXP	获取价格	50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET
BSS84AKV	NEXPERIA	获取价格	50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction
BSS84AKW	NEXPERIA	获取价格	50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFETProduction
BSS84AKW	NXP	获取价格	50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET
BSS84AKW,115	NXP	获取价格	BSS84AKW - 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin
BSS84D10Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D11Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS84D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta