BSS84-7-F

更新时间： 2024-02-14 16:00:45

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	139K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS84-7-F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	7.14
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.13 A	最大漏极电流 (ID)：	0.13 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BSS84-7-F 数据手册

BSS84

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SOT- 23

This is a P-channel, enhancement-mode MOSFET, housed in the industry-

standard, SOT-23 package. This device is ideal for portable applications

where board space is at a premium.

FEATURES

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Fast Switching

Available in lead-free plating (100% matte tin finish)

Drain

APPLICATIONS

Switching Power Supplies

Hand-Held Computers, PDAs

Gate

Source

MARKING CODE: 84L

T = 25°C Unless otherwise noted

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

- 50

Units

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage (Note 1)

Gate-Source Voltage

Drain Current

DSS

- 50

DGR

± 20

GSS

130

200

°C

Total Power Dissipation (Note 2)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

stg

Note 1. R < 20K ohms

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Characteristic

Value

625

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)

thja

Note 2. FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 inch with minimum recommended pad layout

8/12/2005

Page 1

www.panjit.com

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