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BSS84AK

更新时间： 2023-09-03 20:34:40

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	1420K
描述
50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFETProduction

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BSS84AK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.8	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	8.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BSS84AK 数据手册

BSS84AK

50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 23 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

ESD protection up to 1 kV

AEC-Q101 qualified

Trench MOSFET technology

1.3 Applications

Relay driver

High-side loadswitch

Switching circuits

High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-50

V_GS

-20

[1]

I_D

V_GS= -10 V; T_amb= 25 °C

-180 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -10 V; I_D= -100 mA;

T_j= 25 °C

4.5

7.5

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

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与BSS84AK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS84AK,215	NXP	获取价格	BSS84AK - 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
BSS84AK215	NXP	获取价格	50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET
BSS84AK-BR	ETC	获取价格	MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
BSS84AKM	NEXPERIA	获取价格	50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFETProduction
BSS84AKM,315	ETC	获取价格	MOSFET P-CH 50V SOT883
BSS84AKMB	NEXPERIA	获取价格	50 V, single P-channel Trench MOSFETProduction
BSS84AKMB,315	ETC	获取价格	MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN
BSS84AKQB	NEXPERIA	获取价格	50 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BSS84AKS	NXP	获取价格	160mA, 50V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, TSSOP-6
BSS84AKS	NEXPERIA	获取价格	50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction