是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 7.14 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.13 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.13 A |
最大漏源导通电阻: | 10 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 12 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSS84-7-F | DIODES |
类似代替 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
BSS84T/R | NXP |
类似代替 |
TRANSISTOR 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, | |
BSS84TA | DIODES |
类似代替 |
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSS84-7-F | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
BSS84-7-F | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
BSS84A | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; | |
BSS84AE | ANBON |
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SOT-23 | |
BSS84AE-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 | |
BSS84AHZG | ROHM |
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BSS84AHZG在SOT-23封装中内置单Pch -60V -0.23A MOSFET和 | |
BSS84AK | NXP |
获取价格 |
50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET | |
BSS84AK | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
BSS84AK,215 | NXP |
获取价格 |
BSS84AK - 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | |
BSS84AK215 | NXP |
获取价格 |
50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET |