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BSP50

更新时间： 2024-11-27 03:22:55
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
NPN Darlington Transistor

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BSP50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.23
最大集电极电流 (IC)：0.0008 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP50 数据手册

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BSP50  
NPN Darlington Transistor  
4
•
This device is designed for applications requiring extremly high current  
gain at collector currents to 500mA.  
•
Sourced from process 03.  
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
45  
CER  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
60  
V
CBO  
EBO  
5
V
I
- Continuous  
800  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
= 100µA, I = 0  
60  
5
V
V
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CES  
C
E
E
= 10µA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 45V, V = 0  
50  
50  
nA  
nA  
CE  
EB  
BE  
Emitter Cutoff Current  
= 4.0V, I = 0  
C
EBO  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
= 150mA, V = 10V  
1000  
2000  
FE  
C
C
CE  
= 500mA, V = 10V  
CE  
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 500mA, I = 0.5mA  
1.3  
1.9  
V
V
CE  
C
C
B
= 500mA, I = 0.5mA  
BE  
B
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1000  
8.0  
mW  
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
°C/W  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2004  
123

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BSP50 替代型号

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