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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.47 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP50TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP50TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP51 | NXP |
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NPN Darlington transistors |
|
| BSP51 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturatio |
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| BSP51 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN Darlington transistorProduction |
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| BSP51,115 | NXP |
获取价格 |
BSP50; BSP51; BSP52 - NPN Darlington transistors SC-73 4-Pin |
|
| BSP51-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP51E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PL |
|
| BSP51-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
| BSP51H6327TR | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP |
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