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BSP51

更新时间： 2024-11-28 11:15:31

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安世 - NEXPERIA		/
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10页	193K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BSP51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	参考标准：	IEC-134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BSP51 数据手册

BSP51

NPN Darlington transistor

13 July 2018

Product data sheet

1. General description

NPN Darlington transistor in an SOT223 plastic package.

PNP complement: BSP61

2. Features and benefits

•

High current of 1 A

•

Low voltage of 60 V

Integrated diode and resistor

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Industrial high gain amplification

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

I_C

collector current

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= 10 V; I_C= 150 mA

[1]

1000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...10

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