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BSP51

更新时间： 2024-01-29 18:16:43

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10页	193K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BSP51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

BSP51 数据手册

BSP51

NPN Darlington transistor

13 July 2018

Product data sheet

1. General description

NPN Darlington transistor in an SOT223 plastic package.

PNP complement: BSP61

2. Features and benefits

•

High current of 1 A

•

Low voltage of 60 V

Integrated diode and resistor

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Industrial high gain amplification

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

V_CBO

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-base voltage open emitter

V_CES

collector-emitter

voltage

base short-circuited to emitter

I_C

collector current

I_CM

h_FE

peak collector current

DC current gain

V_CE= 10 V; I_C= 150 mA

[1]

1000

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

12 3 4 5 6 7...10

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