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BSP51

更新时间： 2024-02-03 05:30:41

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安世 - NEXPERIA		/
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10页	193K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BSP51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

BSP51 数据手册

Nexperia

BSP51

NPN Darlington transistor

11. Test information

input pulse

90 %

(idealized waveform)

(100 %)

Bon

10 %

Boff

output pulse

(idealized waveform)

90 %

(100 %)

10 %

off

006aaa003

Fig. 2. Transistor switching time definition

(probe)

450 Ω

(probe)

oscilloscope

450 Ω

oscilloscope

DUT

aaa-027547

V_I= 10 V; T = 200 µs; t_p= 6 µs; t_r= t_f≤ 3 ns.

R1 = 56 Ω; R2 = 10 kΩ; R_B= 10 kΩ; R_C= 18 Ω.

V_BB= -1.8 V; V_CC= 10.7 V.

Oscilloscope: input impedance Z_i= 50 Ω.

Fig. 3. Test circuit or switching times

Quality information

This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council (AEC)

standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is suitable for use in

automotive applications.

BSP51

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Product data sheet

13 July 2018

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