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BSP51

更新时间： 2024-01-30 09:54:31

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10页	193K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BSP51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

BSP51 数据手册

Nexperia

BSP51

NPN Darlington transistor

8. Limiting values

Table 5. Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

collector-base voltage

open emitter

collector-emitter voltage base short-circuited to emitter

emitter-base voltage

collector current

open collector

T_amb≤ 25 °C

I_CM

peak collector current

limiting base current

total power dissipation

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

I_Blim

P_tot

100

1.25

150

°C

[1]

T_j

T_amb

T_stg

-65

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm².

9. Thermal characteristics

Table 6. Thermal characteristics

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

R_th(j-a)

thermal resistance

from junction to

ambient

[1]

K/W

R_th(j-sp)

thermal resistance

from junction to solder

point

K/W

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm².

BSP51

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Product data sheet

13 July 2018

3 / 10

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