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BSP51

更新时间： 2024-02-13 02:26:33

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安世 - NEXPERIA		/
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10页	193K
描述
NPN Darlington transistorProduction

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BSP51 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-73	包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	1.3 V
Base Number Matches：	1

BSP51 数据手册

Nexperia

BSP51

NPN Darlington transistor

10. Characteristics

Table 7. Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

collector-base

I_C= 100 µA; I_E= 0 A

breakdown voltage

V_(BR)CES

V_(BR)EBO

I_CES

collector-emitter

breakdown voltage

I_C= 2 mA; V_BE= 0 V

I_C= 0 A; I_E= 100 µA

emitter-base

breakdown voltage

collector-emitter cut-off V_BE= 0 V; V_CE= 60 V

current

I_EBO

emitter-base cut-off

current

V_EB= 4 V; I_C= 0 A

h_FE

DC current gain

V_CE= 10 V; I_C= 150 mA

[1]

1000

V_CE= 10 V; I_C= 500 mA

2000

V_CEsat

collector-emitter

saturation voltage

I_C= 500 mA; I_B= 0.5 mA

1.3

1.9

I_C= 500 mA; I_B= 0.5 mA; T_j= 150 °C

V_BEsat

base-emitter saturation I_C= 500 mA; I_B= 0.5 mA

voltage

t_on

t_off

f_T

turn-on time

I_C= 500 mA; I_Bon= 0.5 mA;

I_Boff= -0.5 mA

500

turn-off time

1300

200

transition frequency

V_CE= 5 V; I_C= 500 mA; f = 100 MHz

MHz

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.

mgd838

5000

4000

3000

2000

1000

- 1

(mA)

V_CE= 10 V

Fig. 1. DC current gain; typical values

BSP51

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Product data sheet

13 July 2018

4 / 10

1 2 345 6 7...10

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